j9九游会

阻错晶格及新颖电子态研究

2025.10.21

投稿:邵奋芬部分:理学院浏览次数:

活动信息

报告问题 (Title):阻错晶格及新颖电子态研究

报告人 (Speaker):杜轶 教授(北京航空航天大学)

报告时间 (Time):2025年10月20日(周一)11:00-12:30

报告所在 (Place):宝山校区G601

约请人(Inviter):任龙

主理部分:量子科技研究院/理学院物理系

报告摘要:

拓扑电子平带是一种有望实现包括超导、室温分数目子霍尔效应的新型电子态,,,,,由于其新颖的物理性子在近些年获得了普遍关注。。 。。理论预测,,,,,在强自旋轨道耦合的阻错结构中,,,,,电子波函数交叠引起的量子干预可爆发拓扑平带。。 。。本报告将介绍我们近期在低维阻错晶格修建及电子平带探索的研究事情。。 。。在多种低维系统中通过链间堆垛、层间旋转、外貌化学吸附、层间结构控制等手段,,,,,实现了阻挫晶格(triangle、kagome、Lieb、breathing kagome、distorted colouring triangle)或者相似阻错势场,,,,,并视察到其对应的电子平带及狄拉克电子态 [1-5]。。 。。在充分探索低维阻挫质料制备和准确控制结构-电性耦合的基础上 ,,,,,再连系种种超高真空原位剖析手段对所爆发的阻错势场举行深入的剖析和研究,,,,,探讨其爆发的拓扑平带的物理实质。。 。。使用掺杂元素、吸附原子/分子、应力和高压生长出多种电子平带的调控手段,,,,,实现了包括拓扑相变、超导电性、非线性光学性子在内的一系列新颖物性。。 。。我们期望通过这些事情为相识和调控拓扑平带量子特征涤讪实验基础,,,,,并为在低维系统中实现可控新颖物性提供可行的手艺蹊径。。 。。

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