克日，，质料基因组工程研究院王生浩教授团队在化学气相沉积（CVD）法制备钙钛矿薄膜的研究中取得希望
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。。该团队立异性地开发了一种基于固态添加剂辅助的CVD制备要领，，实现了CsSnI₃钙钛矿薄膜中缺陷的降低和薄膜空气稳固性的显著提升
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。。相关效果以题为“Suppressed Defects and Improved Stability of All-inorganic CsSnI₃Films by Solid Additive-assisted Chemical Vapor Deposition Process”的研究论文形式，，揭晓于新能源和质料科学领域著名期刊《Small》（影响因子：13.0）
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CsSnI₃钙钛矿质料因其理想的带隙（1.2-1.4 eV）、优异的热稳固性以及情形友好特征，，被视为替换古板有毒Pb基钙钛矿的最佳候选质料之一
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。。然而，，该质料在现实应用中面临两大概害挑战：一是Sn²⁺在空气中极易被氧化，，导致薄膜缺陷密度显著增添；；；
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；二是情形袒露会引发光活性相向非光活性相的不可逆转变
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；喑粱–VD）手艺依附无溶剂、低真空、低本钱及可规；；；
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；票傅挠攀，，成为制备高质量CsSnI₃薄膜的理想选择
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。。现在，，通过CVD手艺制备的CsSnI₃薄膜已体现出优异的结晶纯度和光致发光稳固性，，但降低质料中的缺陷浓度以及提升其在大气情形中的恒久稳固性仍是推动该质料走向现实应用的要害研究偏向
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在本事情中，，研究职员通过将固态添加剂置于CsSnI₃前驱体和衬底之间，，提出一种新颖的固态添加剂辅助的CVD制备要领
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。。通过准确控制制备工艺条件，，CsSnI₃前驱体与添加剂均爆发气化，，随后这两种蒸气在氩气载气和温度梯度作用下定向输运至基底，，并爆发原位反映
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。。固态添加剂中的C=O和N-H官能团与薄膜内部的Sn²⁺爆发相互作用，，延缓了Sn²⁺的氧化，，从而使得薄膜中的Sn⁴⁺含量显著降低，，对应地，，Sn²⁺空位缺陷也获得了有用钝化，，光学和电学特征进一步提升
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。。别的，，固态添加剂改性后样品的空气稳固性也有显着提升（见图１、图２）
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。。本事情展现的固态添加剂的官能团对Sn基钙钛矿缺陷钝化机制以及稳固性提升战略，，对开发低本钱钙钛矿固态添加剂系统具有主要的借鉴意义，，同时为制备高质量Sn基钙钛矿质料以及开发高性能光电器件（如晶体管、发光二极管、太阳能电池、光电探测器）提供了主要的理论指导
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图1 SA-CVD制备历程、CsSnI₃缺陷钝化机理及稳固性提升示意图

图２ 添加固态添加剂前后钙钛矿薄膜的光学（低温光致发光图）及电学特征（功函数转变）

j9九游会为本文第一署名单位，，j9九游会质料基因组工程研究院李宏宇同砚和叶超同砚为配合第一作者，，j9九游会质料基因组工程研究院王生浩教授、上海高压科学与手艺先进研究中心董嘹亮研究员、上海交通大学溥渊未来手艺学院戚亚冰教授为配合通讯作者
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。。该事情获得了国家自然科学基金（12474072）、上海市东方学者、上海市科委青年科技启明星等项目的支持
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论文链接：https://onlinelibrary.wiley.com/doi/full/10.1002/smll.202412824